Gestrecktes Silicium ({EnS|strained silicon}) ist ein Verfahren in der Halbleitertechnik, bei dem durch mechanischen Stress die Ladungsträgermobilität von Elektronen und Defektelektronen im Kanal (aus Silicium) eines Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistors beeinflusst wird. == Aufbau und Funktionsweise == Gestrecktes Silicium besteht au...